半個(gè)多世紀(jì)電力電子技術(shù)的發(fā)展證明：沒(méi)有領(lǐng)先的器件，就沒(méi)有領(lǐng)先的裝備，電力電子器件對(duì)電力電子技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展起著決定性的作用。

自1985年絕緣門(mén)極雙極型晶體管（IGBT）進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用以來(lái)，由于具有絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的高輸入阻抗及雙極型三極管的低導(dǎo)通壓降、以及驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)，IGBT快速成為主流電力電子器件，在10－100kHz的中壓、中電流應(yīng)用范圍占有十分重要的地位。IGBT及其模塊（包括IPMs）已經(jīng)涵蓋了600 V - 6.6 kV的電壓和（1-3500）A的電流范圍，應(yīng)用IGBT模塊的100 MW級(jí)的逆變器也已有商品問(wèn)世。

在國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策支持和國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的推動(dòng)下，我國(guó)IGBT技術(shù)和產(chǎn)業(yè)近年來(lái)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，初步建立了從芯片設(shè)計(jì)到芯片封裝、測(cè)試的產(chǎn)業(yè)鏈。600V、1200V、1700V/100A~300A的IGBT和600V、1200V、1700V/100A~400A FRD的芯片已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，3300V、4500V、 6500V/32~63A的IGBT和3300V、4500V、 6500V/50~125A FRD的芯片已研發(fā)成功，并進(jìn)入中試和量產(chǎn)階段；IGBT模塊的封裝技術(shù)也上了一個(gè)大臺(tái)階，國(guó)產(chǎn)芯片的600V、1200V、1700V、3300V/200~2400A的IGBT模塊已投入使用，采用國(guó)產(chǎn)芯片的4500V、6500V/600~1200A的IGBT模塊進(jìn)入中試階段，有少量樣品正在試用。

不可否認(rèn)的是，目前在硅基的IGBT器件領(lǐng)域，我國(guó)與國(guó)際先進(jìn)水平差距明顯。國(guó)內(nèi)已有多家企業(yè)從事IGBT的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)，在解決了IGBT芯片“有和無(wú)”的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了中低壓產(chǎn)品的突破，但問(wèn)題是品種少、產(chǎn)量低、缺少高性能的產(chǎn)品（國(guó)產(chǎn)芯片結(jié)構(gòu)還處于第四代），遠(yuǎn)不能滿足市場(chǎng)的需求。同時(shí)，國(guó)產(chǎn)IGBT的市場(chǎng)缺乏政策性的引導(dǎo)和培育，用戶對(duì)國(guó)產(chǎn)器件使用的信心和認(rèn)可不足，市場(chǎng)仍然由國(guó)外大公司如英飛凌、ABB和三菱等公司所壟斷。

但可喜的是，目前我國(guó)IGBT領(lǐng)域的企業(yè)通過(guò)國(guó)家的支持和鼓勵(lì)，正在不斷提高創(chuàng)新能力，改進(jìn)完善工藝技術(shù)，不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量，增加品種形成系列化，提高產(chǎn)品附加值和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，力爭(zhēng)改變市場(chǎng)被國(guó)外壟斷的局面。以嘉興斯達(dá)為代表的國(guó)產(chǎn)IGBT研發(fā)及制造商不斷攻克各種技術(shù)難關(guān)，快速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，并嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān)，斯達(dá)IGBT模塊已廣泛應(yīng)用于電焊機(jī)、變頻器、UPS、風(fēng)電、光伏以及電動(dòng)車等重要領(lǐng)域，并獲得用戶高度認(rèn)可，在大多場(chǎng)合已基本可以完全替代國(guó)際品牌。國(guó)產(chǎn)品牌IGBT已形成與國(guó)際品牌競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)，而且將愈演愈烈。

中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)常務(wù)副理事長(zhǎng)、中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)、中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)肖向鋒先生，多年來(lái)一直呼吁國(guó)家應(yīng)以支持集成電路和軟件的待遇給予電力電子器件產(chǎn)業(yè)大力支持。他提出在“十三五”期間，國(guó)家應(yīng)在電力電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)布局，并制定關(guān)鍵材料和關(guān)鍵器件的相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。尤其要重點(diǎn)支持IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展，在軌道交通用IGBT、電力系統(tǒng)用IGBT、新能源汽車用IGBT以及平板全壓接IGBT等硅基高頻場(chǎng)控電力電子器件上，提高自主創(chuàng)新能力，突破溝槽、電場(chǎng)終止的設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù)，形成規(guī)模生產(chǎn)能力。

肖秘書(shū)長(zhǎng)認(rèn)為，電力電子器件產(chǎn)業(yè)是我國(guó)制造業(yè)的重要組成部分之一，在“十三五”期間，要按照《中國(guó)制造2025》的精神發(fā)展我國(guó)的電力電子器件產(chǎn)業(yè)，要堅(jiān)持“創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)、質(zhì)量為先、綠色發(fā)展、結(jié)構(gòu)優(yōu)化、人才為本”的基本方針，堅(jiān)持“市場(chǎng)主導(dǎo)、政府引導(dǎo)，立足當(dāng)前、著眼長(zhǎng)遠(yuǎn)，整體推進(jìn)、重點(diǎn)突破，自主發(fā)展、開(kāi)放合作”的基本原則，將“互聯(lián)網(wǎng)+”引入電力電子器件制造業(yè)，使信息化和電力電子器件制造產(chǎn)業(yè)深度融合，提高產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新能力，提升產(chǎn)業(yè)的制造智能化水平，通過(guò)中國(guó)制造業(yè)發(fā)展的“三步走”，把我國(guó)從今天的電力電子器件需求大國(guó)，建設(shè)成為電力電子器件的制造大國(guó)，繼而建設(shè)成電力電子器件的創(chuàng)造強(qiáng)國(guó)。

而在邁向電力電子器件制造大國(guó)和創(chuàng)造強(qiáng)國(guó)的偉大征程中，IGBT無(wú)疑必將擔(dān)當(dāng)大任！