11月3日，在備受矚目的“上海工博會”隆重開幕之際，“中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第一屆學(xué)術(shù)論壇”也在魔都順利舉辦，工信部及集成電路產(chǎn)業(yè)大基金領(lǐng)導(dǎo)，業(yè)內(nèi)頂級專家及聯(lián)盟理事單位的技術(shù)人員共200多位代表共襄盛舉。本次論壇邀請了10位國內(nèi)外技術(shù)專家，從IGBT材料、芯片、封測、應(yīng)用等技術(shù)研究角度進(jìn)行專題報(bào)告，充分展示聯(lián)盟IGBT技術(shù)成果，分析市場需求，推動產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展。

工信部電子信息司集成電路處龍寒冰副處長代表政府主管部門對論壇召開表示祝賀，他認(rèn)為，五中全會強(qiáng)調(diào)提高經(jīng)濟(jì)發(fā)展的質(zhì)量效益和創(chuàng)新驅(qū)動，目前我國也面臨節(jié)能減排以及“保增長，穩(wěn)增長”的壓力，同時，“中國制造2025”將是今后一段時間的重要戰(zhàn)略目標(biāo)，在以上各個方面，都越來越依賴于新型電力電子器件技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，尤其是IGBT的發(fā)展目前面臨歷史最好機(jī)遇，聯(lián)盟必將發(fā)揮更大作用。

原工信部電子信息司司長、聯(lián)盟名譽(yù)理事長、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司總經(jīng)理丁文武也在講話中提出：面對當(dāng)前向好形勢，IGBT產(chǎn)業(yè)亟需“上規(guī)模、上水平”，完善產(chǎn)業(yè)鏈，同時要用好國家的政策，而聯(lián)盟作為平臺，要傳遞業(yè)界聲音，發(fā)揮更大才智。

當(dāng)然，作為國內(nèi)IGBT業(yè)界頂尖水平的學(xué)術(shù)論壇，主角肯定是10位技術(shù)專家，國內(nèi)主流IGBT廠家及典型用戶廠家均派出了自家的“技術(shù)掌門人”，演講內(nèi)容涵蓋了IGBT材料、芯片、封測以及應(yīng)用。尤其是國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院總經(jīng)理湯廣福博士和中國一汽技術(shù)中心電機(jī)開發(fā)室主任趙慧超代表用戶單位做專題報(bào)告后，給與會IGBT廠商極大的信心鼓舞。

嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司總經(jīng)理沈華博士也發(fā)表了題為“高可靠性IGBT在新能源領(lǐng)域中的應(yīng)用”的報(bào)告，特別強(qiáng)調(diào)了高可靠性的重要性，并簡要介紹了斯達(dá)針對太陽能、風(fēng)能以及電動車領(lǐng)域的特殊需求而開發(fā)的系列產(chǎn)品特點(diǎn)。尤其是沈博士提出我國IGBT技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵是芯片銅工藝技術(shù)時，與會領(lǐng)導(dǎo)和專家均表示認(rèn)同，沈博士認(rèn)為，“IGBT芯片銅工藝是決定我國是否能在今后5-10年內(nèi)趕上國際最先進(jìn)IGBT技術(shù)的關(guān)鍵”，并表示愿與國內(nèi)同行共同努力，提升IGBT產(chǎn)品的可靠性，滿足越來越多的高端需求以及對產(chǎn)品的嚴(yán)苛要求。

聯(lián)盟秘書長肖向鋒先生在總結(jié)發(fā)言中對本次論壇給予了很高評價：“信息量巨大，內(nèi)容豐富，演講精彩”。肖秘書長認(rèn)為，目前我國IGBT產(chǎn)業(yè)的兩種發(fā)展模式（IDM模式和虛擬IDM模式）均有各自優(yōu)勢，聯(lián)盟將搭好平臺，為整合全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)揮更大作用。并表示，中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟自成立以來，不斷推進(jìn)自身建設(shè)，聯(lián)盟宣傳平臺、會員發(fā)展與交流等工作穩(wěn)步推進(jìn)，國家、部委政策信息上傳下達(dá)，聯(lián)盟知名度和影響力不斷提升。 相信在各成員的共同努力下，聯(lián)盟會為我國電力電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展做出更大貢獻(xiàn)。